삼성전자 사장 "5년내 TSMC 잡는다" 카이스트에서 강연

경 사장은 4일 대전 KAIST에서 열린 ‘삼성 반도체의 꿈과 행복: 지속 가능한 미래’ 강연에서 “냉정하게 얘기하면 삼성전자의 파운드리 기술력이 TSMC에 1~2년 뒤처져 있다”며 “하지만 TSMC가 2나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정에 들어오는 시점부터는 삼성전자가 앞설 수 있다”고 말했다. 경 사장은 이어 “5년 안에 TSMC를 앞설 수 있다”고 덧붙였다.

경 사장의 자신감은 삼성전자가 3㎚ 파운드리 공정부터 세계 최초로 적용하기 시작한 ‘게이트올어라운드(GAA)’ 기술에 근거한다. GAA는 반도체에 흐르는 전류 흐름을 세밀하게 제어하고 충분한 양의 전력이 흐르게 하는 신기술이다. GAA 공정을 활용하면 기존 공정 대비 면적은 45% 작고, 소비전력은 50% 적게 드는 칩을 생산할 수 있다. 

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